На этой неделе Hynix Semiconductor сообщила о готовности серийного производства 40-нм микросхем памяти DRAM DDR3 плотностью 1 Гбит уже в третьем квартале этого года.
Такие микросхемы позволят увеличить максимальную скорость обмена данными до 2133 Мбит/с. При этом их работоспособность заключена в широком диапазоне напряжений питания. По сравнению с аналогичными продуктами, изготавливаемыми по нормам 50 нм, общую производительность памяти удалось повысить более чем на 50 процентов. Такой результат получен только за счет уменьшения структур при переходе к более тонким нормам — компания применила так называемые «трехмерные транзисторы», которые отличаются уменьшенным током утечки и пониженным энергопотреблением.
Hynix рассчитывает на применение памяти, изготавливаемой по 40-нм нормам, в модулях памяти DDR3. Таким образом, геймеры и энтузиасты получат высокопроизводительную оперативную память нового поколения, отличающуюся стабильностью и низким тепловыделением. Кроме того, компания планирует применить новую технологию производства памяти для мобильных устройств и графических ускорителей.