Южнокорейская компания Samsung объявила о готовности производить графическую память GDDR5 по недавно освоенному 50-нм техпроцессу.
Такая память получит максимальную скорость обмена в 7.0 Гбит/с. Это соответствует пропускной способности 28 ГБ/с, что вдвое превосходит показатель памяти GDDR4, равный 12,8 ГБ/с. Кстати, в GDDR4 операции обращения жестко связаны с тактовой частотой, новая память GDDR5 имеет преимущество в быстродействии, обуславливаемое отсутствием необходимости синхронизации между импульсами тактовой частоты и сигналами, соответствующими функциям чтения и записи.
Применение 50-нм техпроцесса, как ожидает компания, позволит вдвое повысить эффективность производства по сравнению с производством, в котором применяется 60-нанометровый техпроцесс. Кроме того память Samsung GDDR5 работает при напряжении питания 1,35 В, что соответствует снижению энергопотребления на 20 процентов по сравнению с памятью GDDR4, которой необходимо напряжение 1,8 В.
Поставки первых компонентов уже начались. Samsung рассчитывает, что поставки памяти GDDR5 составят не менее 20 процентов от поставок всей графической памяти в текущем году.