На днях Micron Technology сообщила о создании первых в отрасли модулей памяти DDR3 с уменьшенной нагрузкой на шину (LRDIMM - load-reduced dual-inline memory module). Образцы, предназначенные пока для серверов объемом 16 ГБ, компания рассчитывает представить осенью этого года. Основной целью усовершенствования стало повышение скорости передачи данных и существенное увеличение объема памяти, установленной в системе.
В новых модулях используются микросхемы памяти производства самой Micron. Они рассчитаны на напряжение питания 1.35 В. Плотность микросхем, выпускаемых по нормам 50 нм, составляет 2 Гбит. В настоящее время компания готовится начать серийное производство таких микросхем.
Для уменьшения нагрузки на шину, в модулях Micron LRDIMM вместо обычных буферных регистров применена микросхема «изолирующего буфера» производства Inphi (iMB). По сравнению с применяемыми сегодня модулями RDIMM это позволило уменьшить нагрузку на 50 процентов в случае двухрангового модуля и на 75 процентов - в случае четырехрангового модуля.
В результате, вместо трех четырехранговых модулей RDIMM объемом по 16 ГБ (типовая конфигурация в расчете на один процессор), в сервер можно установить до девяти четырехранговых модулей LRDIMM такого же объема, увеличив суммарный объем памяти с 48 до 144 ГБ. Что касается производительности, по оценке Micron, модули LRDIMM объемом 16 ГБ обеспечивают прирост полосы пропускания системной памяти на 57 процентов по сравнению с модулями RDIMM.
Пока Micron отгружает некоторым клиентам образцы модулей LRDIMM объемом 8 ГБ. Серийный выпуск модулей объемом 16 ГБ компания обещает начать в 2010 году. Что касается выпуска таких модулей памяти для десктопных решений – обычных наших с вами домашних компьютеров, то информации пока никакой не публиковалось.